Imaj se pou referans, tanpri kontakte nou pou jwenn foto reyèl la
Nimewo Pati Manifakti: | TC58BYG0S3HBAI6 |
Manifakti: | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
Pati nan Deskripsyon: | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA |
Fichye done yo: | TC58BYG0S3HBAI6 Fichye done yo |
Estati san plon / Estati RoHS: | San Plon / Konfòme RoHS |
Kondisyon Stock: | Nan stok |
Bato Soti nan: | Hong Kong |
Fason chajman: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Kalite | Deskripsyon |
---|---|
Seri | Benand™ |
Pakè | Tray |
Pati Status | Active |
Kalite memwa | Non-Volatile |
Fòma memwa | FLASH |
Teknoloji | FLASH - NAND (SLC) |
Gwosè memwa | 1Gb (128M x 8) |
Entèfas memwa | Parallel |
Frekans revèy | - |
Ekri Tan Sik - Pawòl, Paj | 25ns |
Tan Aksè | 25 ns |
Voltage - Pwovizyon pou | 1.7V ~ 1.95V |
Tanperati opere | -40°C ~ 85°C (TA) |
Mounting Kalite | Surface Mount |
Pake / Ka | 67-VFBGA |
Founisè Aparèy pake | 67-VFBGA (6.5x8) |
Estati Stock: 338
Minimòm: 1
Kantite | Pri inite | Ext. Pri |
---|---|---|
![]() Pri pa disponib, tanpri RFQ |
US $ 40 pa FedEx.
Rive nan 3-5 jou
Eksprime: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Livrezon gratis sou premye 0.5kg pou lòd plis pase 150 $, yo pral chaje twò gwo separeman.